晶片再縮細有新突破？ASML聯同Carl Zeiss提出Hyper NA光刻技術，把數值孔徑推高至至少0.75，目標解像度約5nm，卻未代表新機即將落地。這項看似震撼半導體業界的技術，真正等待時間或長達10年。

數值孔徑由0.55飆至0.75

ASML與Carl Zeiss工程師在2026年10月出版的研究論文中，介紹名為Hyper NA的新一代極紫外光光刻方案。相比現有High NA設備採用0.55數值孔徑，新系統擬提升至至少0.75，讓光學系統收集及聚焦光線能力進一步增強，並把光刻解像度由約8nm壓縮至約5nm。方案另一焦點是沿用13.5nm EUV光源及現有部分基建，毋須由零開始重建整套發光系統；不過，團隊仍要處理光罩成像、偏振控制、精密反射鏡製造及機身體積增加等難題。

5nm解像度並非5nm製程節點

消息曝光後，「5nm」字眼容易令人把Hyper NA與晶片廠宣傳的5nm製程混為一談，甚至誤以為技術已經落後；然而兩者並非同一概念。研究所指5nm，是光刻系統可印製的微細圖案尺寸，而非晶片製程節點名稱。現有解像度約8nm的High NA設備，本身已為2nm及更先進邏輯晶片製程而設。換言之，Hyper NA真正賣點是協助晶片廠在有限面積內製作更精細線路，為增加電晶體密度、提升效能及降低耗電創造條件，不能單憑「5nm」三字判斷技術級別。

量產時間表未定產業先攻HighNA

轉折在於，Hyper NA目前仍停留在研究及研發階段。ASML尚未承諾正式生產相關光刻機，也未公布售價、客戶訂單或商業化日期，研究團隊所說約10年只能視為可能成熟時間，並非產品上市倒數。產業當前焦點仍是High NA：Intel已把技術引入生產流程，Samsung及SK Hynix計劃於2028年採用，TSMC則計劃2030年投入使用。Hyper NA雖已揭開下一輪競賽序幕，但距離真正進入晶片工廠，仍有多道技術及商業關卡要過。